Superinjeção
O fenômeno conhecido como superinjeção está na base do funcionamento dos lasers e LEDs. Ele rendeu aos seus descobridores, Zhores Alferov e Herbert Kroemer, o prêmio Nobel de Física de 2000.
A superinjeção refere-se ao aumento da concentração de elétrons (cargas negativas) e lacunas (cargas positivas) em uma camada intermediária de material semicondutor, que alcançam valores que são várias ordens de grandeza mais elevadas do que aquelas nas camadas externas, permitindo a emissão de luz de um laser ou de um LED.
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Como há pelo menos três camadas envolvidas, naquilo que se conhece como heteroestrutura, até agora se acreditava ser impossível produzir a superinjeção em uma camada única de semicondutor, ou seja, em uma monoestrutura.
Igor Khramtsov e Dmitry Fedyanin, do Instituto de Física e Tecnologia de Moscou, na Rússia, acabam de descobrir que é sim possível produzir a superinjeção em semicondutores "puros".
Isso abre perspectivas inteiramente novas para a criação de LEDs azuis, violetas, ultravioletas e brancos com eficiência muito superior aos atuais, bem como fontes de luz para comunicação sem fio óptica (Li-Fi), novos tipos de lasers, transmissores para a internet quântica e dispositivos ópticos para diagnóstico de doenças.
Superinjeção em hetero e monoestruturas
O problema em gerar luz dentro de semicondutores é que os componentes requerem que elétrons e lacunas - os portadores de carga - se recombinem. Quanto maior a concentração de elétrons e lacunas, maior a probabilidade de eles se recombinarem, tornando a fonte de luz mais brilhante. Só que ninguém havia conseguido fabricar um semicondutor que fornecesse uma concentração suficientemente alta de elétrons e de lacunas simultaneamente.
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Alferov e Kroemer, os ganhadores do Nobel, resolveram o problema nos anos 1960 usando as heteroestruturas, ou estruturas "sanduíche", usadas até hoje. Quando se coloca um semicondutor entre dois semicondutores com bandas de energia (bandgaps) maiores e aplica-se uma tensão de polarização direta, a concentração de elétrons e lacunas na camada intermediária alcança valores muito altos. Mas não é qualquer semicondutor que pode formar uma heteroestrutura adequada porque os materiais precisam ter o mesmo período de rede cristalina, senão o número de defeitos na interface entre os dois materiais será muito alto e nenhuma luz será gerada.
Khramtsov e Fedyanin descobriram agora não apenas como fazer a superinjeção usando um único semicondutor, mas também que a maioria dos semicondutores conhecidos pode ser usada.
"No caso do silício e do germânio, a superinjeção requer temperaturas criogênicas, e isso põe em dúvida a utilidade [prática] do efeito. Mas no diamante ou no nitreto de gálio, uma forte superinjeção pode ocorrer mesmo à temperatura ambiente," disse Fedyanin.
Lasers e LEDs de diamante
Embora largamente desconhecida do público, a eletrônica de diamante é um campo efervescente, com aplicações aeroespaciais e, mais recentemente, nos motores de carros.
Isto significa que o efeito pode ser usado para criar componentes de mercado fabricados em escala industrial, uma vez que a superinjeção pode produzir concentrações de elétrons em um diodo de diamante que são 10.000 vezes maiores do que aquelas que se acreditava serem possíveis.
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Como resultado, o diamante pode servir como base para LEDs ultravioleta várias vezes mais brilhantes do que os cálculos teóricos mais otimistas previam.
"Surpreendentemente, o efeito da superinjeção no diamante é de 50 a 100 vezes mais forte do que o usado na maioria dos LEDs e lasers de semicondutores no mercado baseados em heteroestruturas," disse Khramtsov. Fonte: Inovação Tecnológica
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