Transístor que armazena e processa
Engenheiros podem ter descoberto um verdadeiro "ovo de Colombo" da eletrônica: como fazer com que os transistores possa processar e armazenar informações ao mesmo tempo.
Os computadores atuais processam os dados e armazenam os dados usando componentes diferentes: Transistores no processador, no primeiro caso, e transistores na memória, no segundo caso.
Agora, Mengwei Si e colegas da Universidade Purdue, nos EUA, conseguiram fazer com que cada uma de milhões dessas minúsculas chaves elétricas possam simultaneamente processar e armazenar as informações.
E a técnica resolve ainda um outro problema: Ela combina um transistor com uma tecnologia de memória de melhor desempenho, a RAM ferroelétrica.
Os pesquisadores tentam há décadas integrar essas duas tecnologias, mas ocorrem problemas na interface entre o material ferroelétrico e o silício, o material semicondutor que compõe os transistores. Por isso, as memórias RAM ferroelétricas usadas hoje funcionam como uma unidade separada no chip, limitando seu potencial para tornar a computação mais eficiente.
A solução foi encontrada na junção das propriedades ferroelétricas e semicondutoras em um único material.
"Nós usamos um semicondutor que possui propriedades ferroelétricas. Dessa forma, dois materiais se tornam um material só e você não precisa se preocupar com os problemas de interface," disse o professor Peide Ye.
O resultado é chamado "transístor de efeito de campo semicondutor ferroelétrico" (FeSFET), e é construído da mesma maneira que os transistores atualmente usados nos chips de computador.
O material, chamado seleneto de índio alfa, não apenas possui propriedades ferroelétricas, como também é um semicondutor com um "intervalo de banda" (bandgap) estreito, permitindo a realização de cálculos computacionais, além do tradicional armazenamento de um bit não volátil.
O próximo passo será testar o novo material e a nova arquitetura de processamento/armazenamento em dispositivos lógicos maiores, mais próximos da utilização prática. Fonte: Revista: Nature Electronics
Postagens
0 comentários:
Postar um comentário