Será que agora teremos uma memória universal para computadores?

Memória não-volátil de baixo consumo

Um novo tipo de memória eletrônica, com seu consumo de energia ultrabaixo, promete dar vida nova a computadores e aparelhos eletrônicos portáteis em geral.

Ofogh Tizno e seus colegas da Universidade Lancaster, no Reino Unido, afirmam que sua "memória universal" pode reduzir o consumo de energia das centrais de dados em um quinto, além de permitir que os computadores deem boot instantâneo, já que ela não perde os dados na ausência de eletricidade.

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"Uma memória universal, que armazena dados de forma robusta e que podem ser facilmente alterados, é amplamente considerada inviável ou até mesmo impossível, mas este dispositivo demonstra suas propriedades contraditórias," disse o professor Manus Hayne, coordenador da equipe.

Fazer o impossível envolveu usar a mecânica quântica para resolver o dilema de escolher entre armazenamento de dados estável e de longo prazo e a gravação e apagamento de dados usando pouca energia.

Memória universal

Embora a gravação de dados nas memórias DRAM atuais seja rápida e gaste pouca energia em cada operação, os dados são voláteis e devem ser continuamente atualizados para evitar que sejam perdidos - como isso ocorre a cada poucos nanossegundos, a conta de energia sobe rapidamente. As memórias do tipo flash, por sua vez, armazenam dados de forma robusta, mas consomem muita energia e se deterioram, além de a gravação e o apagamento serem lentos, tornando-as inadequadas para funcionar como memória de trabalho.

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"O ideal é combinar as vantagens de ambos sem seus inconvenientes, e é isso que demonstramos. Nosso dispositivo tem um tempo de armazenamento de dados intrínseco que é previsto para exceder a idade do Universo, mas pode gravar ou excluir dados usando 100 vezes menos energia do que a DRAM," disse o professor Hayne.

O protótipo, construído com uma combinação de três semicondutores - arseneto de índio (InAs), antimoneto de gálio (GaSb) e antimoneto de alumínio (AlSb) - alcançou uma retenção de dados de 104 segundos e operou a uma tensão abaixo dos 2,6 volts.

O entusiasmo da equipe com sua "memória universal" tem fundamento: Várias empresas de semicondutores já manifestaram interesse em licenciar a patente do novo componente.

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Por outro lado, "memórias universais" têm sido anunciadas há mais de uma década, incluindo versões "revolucionárias" como as memórias de conteúdo endereçável e, mais recentemente, as memórias antiferromagnéticas e as memórias com três bits por célula. Fonte: Inovação Tecnológica